TPM2030-3/TR
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA
- 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.23246 | 0.23246 |
| 10+ | 0.19042 | 1.90423 |
| 30+ | 0.16940 | 5.08212 |
| 100+ | 0.13977 | 13.97730 |
| 400+ | 0.12716 | 50.86560 |
| 800+ | 0.12086 | 96.68960 |
- 库存: 37460
- 单价: ¥0.23246
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数量:
- +
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 950mA
- 功率(Pd) 150mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 200mΩ@4.5V,550mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 650mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 1.15nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 50pF@10V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 8pF@10V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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TPM2030-3/TR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TPM2030-3/TR 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TPM2030-3/TR价格参考￥0.232461，你可以下载 TPM2030-3/TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TPM2030-3/TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业，团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司，担任技术高层岗位超过15年，核心成员均有10年以上设计经验。 台...
