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SST25VF010A-33-4I-QAE-T

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 8-WSON
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 3331
  • 单价: ¥6.95726
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.96
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 存储格式 FLASH
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 存储接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 包装/外壳 8-WDFN Exposed Pad
  • 技术 闪光
  • 时钟频率 33兆赫
  • 单字、单页写入耗时 20s
  • 供应商设备包装 8-WSON

SST25VF010A-33-4I-QAE-T 产品详情

SST's serial flash family features a four-wire, SPI-compatible interface that allows for a low pin-count package occupying less board space and ultimately lowering total system costs. SST25VF010A-33-4I-QAE-T SPI serial flash memory is manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash Technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches.

Feature

  • Serial Interface Architecture– SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3
  • Low Power Consumption:– Active Read Current: 7 mA (typical)– Standby Current: 8 µA (typical)
  • Flexible Erase Capability– Uniform 4 KByte sectors– Uniform 32 KByte overlay blocks
  • Fast Erase and Byte-Program:– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)– Sector- or Block-Erase Time: 18 ms (typical)– Byte-Program Time: 14 µs (typical)
  • Auto Address Increment (AAI) Programming– Decrease total chip programming time overByte-Program operations
  • Packages Available– 8-lead SOIC 150 mil body width– 8-contact WSON (5mm x 6mm)     -  8-bump XFBGA
  • All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant
SST25VF010A-33-4I-QAE-T所属分类:存储器,SST25VF010A-33-4I-QAE-T 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SST25VF010A-33-4I-QAE-T价格参考¥6.957255,你可以下载 SST25VF010A-33-4I-QAE-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SST25VF010A-33-4I-QAE-T规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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