DDR内存实现需要两个主要电源：核心电源（VDDQ）和具有源/宿功能的内存终端电源（VTT）。VTT终端电源的最常见解决方案使用低压差稳压器（LDO）。LDO占地面积小、噪声低、成本低，但效率低。在高密度、热敏感的应用中，相关的热量通常会导致设计问题。另一种传统的设计方案使用了效率高得多的离散源/汇DC-DC开关稳压器解决方案，但代价是更大的PCB占地面积和更高的解决方案成本。
IntelEnpirion EV1320QI是一款理想的源/宿DDR端接转换器，以低成本和微小的解决方案占地面积提供卓越的性能。EV1320的效率几乎是常用VTT LDO的两倍或更低？。VTT转换器接受0.95V至1.8V的输入电压。多个EV1320QI转换器可以并联放置，以支持更大的DDR内存容量（更高的负载要求）。EV1320QI符合JEDEC规范，特别是跟踪精度和AC+DC要求，支持DDR2/DDR/DDR4/QDR和低功耗DDR3/DDR4 VTT应用。
特色
- 源和汇高达2A
- 符合JEDEC规范，为DDR2/3/4/QDR和低功耗DDR3/4设备供电
- 直接从VDDQ操作；低VIN范围从0.95V到1.8V
- 输出VTT精确跟踪陆 VDDQ电压
- 40mm2溶液面积小；0.55 mm低剖面
- 无需外部感应器
- 超高96%效率
- 并联多达四个设备，用于8A VTT负载电流
- 启用带有输出放电的引脚，以支持S3（挂起至RAM）模式
- 可编程软启动时间，软关闭
- 热过载、过电流、短路和欠压保护
- 完全符合RoHS标准，且与无铅生产线兼容
