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AFBR-S4N33C013
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AFBR-S4N33C013

  • 描述:工作波长: 420纳米 光谱范围: 300nm ~ 900nm 包装/外壳: 9-UBGA, CSPBGA 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度
  • 品牌: 博通 (Broadcom)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 182.66476 182.66476
10+ 143.00927 1430.09273
100+ 124.91587 12491.58710
500+ 121.90871 60954.35850
  • 库存: 753
  • 单价: ¥182.66476
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥182.66
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规格参数

  • 二极管种类 -
  • 响应度与光波长 -
  • 响应时长 -
  • 可视角度 -
  • 安装类别 表面安装
  • 颜色增强 紫外线(UV)
  • 部件状态 可供货
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
  • 有作用区域 9毫米
  • 制造厂商 博通 (Broadcom)
  • 工作波长 420纳米
  • 光谱范围 300nm ~ 900nm
  • 最大直流反向电压 (Vr) 26.9 V
  • 典型暗时电流值 300nA
  • 包装/外壳 9-UBGA, CSPBGA

AFBR-S4N33C013 产品详情

The Broadcom® AFBR-S4N44C013 is a silicon photo multiplier (SiPM) array used for ultra-sensitive precision measurement of single photons.The active area is 3.72 × 3.72 mm2. High packing density of the single chip is achieved using through-silicon-via (TSV) technology. Larger areas can be covered by tiling multiple AFBR-S4N44C013 arrays almost without any edge losses. The passivation layer is made by a glass highly transparent down to UV wavelengths, resulting in a broad response in the visible light spectrum with high sensitivity towards blue- and near-UV region of the light spectrum.

Feature

  • High PDE of more than 55% at 420 nm
  • High fill factors
  • Excellent SPTR and CRT
  • Excellent uniformity of breakdown voltage, 180 mV (3 sigma)
  • Excellent uniformity of gain
  • With TSV technology (4-side tilable)
  • Size 3.88 × 3.88 mm2
  • Cell pitch 30 × 30 µm2
  • Highly transparent glass protection layer

Applications

Medical, Safety
AFBR-S4N33C013所属分类:光电二极管,AFBR-S4N33C013 由 博通 (Broadcom) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AFBR-S4N33C013价格参考¥182.664762,你可以下载 AFBR-S4N33C013中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AFBR-S4N33C013规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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博通是一家多元化的全球半导体领导者,建立在50年的创新、合作和卓越工程的基础上。博通广泛的产品组合服务于四个主要终端市场的多种应用:有线基础设施、无线通信、企业存储和工业及其他。我们的产品在这些终端市场...

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