650V和1200V第三代碳化硅MOSFET

东芝的第三代650伏和1200伏碳化硅（SiC）MOSFET设计用于高功率工业应用，如400伏和800伏_自动控制用于不间断电源（UPS）的输入AC/DC电源、光伏（PV）逆变器和双向DC/DC转换器。

这些MOSFET有助于降低功耗和提高功率密度-这是因为SiC技术允许器件提供更高的电压电阻、更快的开关和更低的导通电阻。东芝的第三代芯片设计提高了可靠性。650V产品具有输入电容（C_{国际空间站})4850pF（典型值）的低栅极输入电荷（Q_g)以及漏极到源极导通电阻（R_DS（ON）仅15mΩ（类型）。

此外，1200 V产品提供类似的低输入电容（C_{国际空间站})6000 pF（典型值）的栅极输入电荷（Q_g)以及漏极到源极导通电阻（R_DS（ON）或15MΩ（类型）。

650 V和1200 V SiC MOSFET均采用行业标准三引线TO-247封装。