STM32F103VET6 从代理商购入的芯片中有部分flash读写速度较慢
醍醐清醒 提问时间: 2023-07-17 08:09:32 / 未解决| 烧录190K大小的程序进去，正常只要12s，这部分芯片要20s。 写了程序从片内直接读写，写得慢的芯片较正常芯片用时也要翻接近一倍。 且慢的芯片用时差距极小，似乎具有一些共同的特性。 请问这样的差距是正常的吗，可能是什么原因呢？ |
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3个回答
butterflyspring 回答时间: 2023-07-17 08:26:23通过烧录器去测试烧录时间在理论上不够严密。烧录器擦除部分的区域，以及烧录器对非程序扇区的默认值的处理都会影响速度，甚至与芯片通讯质量也有一定关系。 如果怀疑FLASH接口的速度，最好是用代码测试固定存贮区域的擦除和烧录，看看是否在手册范围内。因为代码的执行一致性较好，误差也小。 此外，每个芯片的每个区域烧录时间会不同，大容量的芯片累计起来相对时间差异大也有可能
- 醍醐清醒 回答时间: 2023-07-17 08:49:49通过烧录器去测试烧录时间在理论上不够严密。烧录器擦除部分的区域，以及烧录器对非程序扇区的默认值的处理 ...
已经使用程序做过擦写测试，同样也有很明显的速度差，所用时间上也几乎翻倍了，具体数据如下表
- 醍醐清醒 回答时间: 2023-07-17 09:13:15通过烧录器去测试烧录时间在理论上不够严密。烧录器擦除部分的区域，以及烧录器对非程序扇区的默认值的处理 ...
多谢提醒，我这边已经使用代码对flash0x0805 0000区域进行了擦除写速度测试，并与手册进行了对比。计时采用系统滴答定时器结合时钟的换算，可达us级别。具体数据如下： 问题板: 16bit programming: 100us 常规板: 16bit programming: 60us 对比下面的Spec手册，问题芯片似乎超出了手册给出的16bit写时间的参考上限，不过二者擦除的速度似乎相差不多