看看匹配电容
我估计又是矫情的匹配电容的问题
LSE 由于频率低,很多参数和HSE差一个数量级,同时芯片多数有低功耗应用需求,因此需要合适的匹配,包括晶体的型号和相应的匹配电容。(型号不对会导致部分情况下出现震荡饱和现象 ) 此外,LSE启动时间相对很长(手册中给出典型值) ,因此软件中关于启动超时的判断也要合理的调整。 软件中可以对相应的驱动等级进行调整,但是前提也是要选型在范围内。简单计算一下。 官方有个很好的应用笔记AN2867,上面详细描述了原理和相应型号的参考系列选择。
软件上要使能LSE模块; LSE晶振两边的负载电容要选择合适,这点参照LSE厂家提供的应用设计; 对于G0系列而言,禁止在LSE电路的OSCIN和OSCOUT脚之间并联电阻; 再就是选择合适的驱动强度,它由RCC_BDCR寄存器里的LSEDRV寄存器控制位决定, 设置它时主要考虑启动时间和功耗方面的因素; ST官方有个应用笔记AN2867,可以针对性地阅读下,尤其第4章;
我们也遇到过这种清空,然后在晶振两端并个1M电阻解决了
硬件有故障,检查硬件。