久芯网

SST39LF200A-45-4C-B3KE

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥33.02762
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥33.03
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 储存接口 并联
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 FLASH
  • 技术 闪光
  • 时钟频率 -
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 包装/外壳 48-TFBGA
  • 单字、单页写入耗时 20s
  • 访达时期 45纳秒
  • 存储容量 2Mb (128K x 16)
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 48-TFBGA

SST39LF200A-45-4C-B3KE 产品详情

The SST39LF200A-45-4C-B3KE is a 128K x16 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39LF200A-45-4C-B3KE writes (Program or Erase) with a 3.0-3.6V power supply. This device conforms to JEDEC standard pinouts for x16 memories.

Feature

  • Organized as 128K x16
  • Low Power Consumption– Active Current: 9 mA (typical), Standby Current: 3 µA (typical)
  • Sector-Erase Capability – Uniform 2 KWord sectors
  • Block-Erase Capability – Uniform 32 KWord blocks
  • Fast Erase and Word-Program – Sector-Erase Time: 18 ms (typical), Block-Erase Time: 18 ms (typical), Chip-Erase Time: 70 ms (typical), Word-Program Time: 14 µs (typical)
  • Packages Available – 48-lead TSOP (12mm x 20mm) , 48-ball TFBGA (6mm x 8mm), 48-ball WFBGA (4mm x 6mm)
  • All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant
SST39LF200A-45-4C-B3KE所属分类:存储器,SST39LF200A-45-4C-B3KE 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SST39LF200A-45-4C-B3KE价格参考¥33.027624,你可以下载 SST39LF200A-45-4C-B3KE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SST39LF200A-45-4C-B3KE规格参数、现货库存、封装信息等信息!

微芯 (Microchip)

微芯 (Microchip)

Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部