9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RDN080N25FU6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RDN080N25FU6参考价格为1.554美元。Rohm Semiconductor RDN080N25FU6封装/规格：MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN。您可以下载RDN080N25FU6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RDN050N20FU6是MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V，包括散装封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为30 W，器件提供10 V Vgs栅极-源极电压，器件具有5 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Vgs第栅极-源阈值电压为4 V，Rds漏极源极电阻为720 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9.3 nC。
R-DMSB5和用户指南，包括标签类型，它们设计用于TW系列，包装如数据表注释所示，用于每卷5000个，提供半透明乙烯基等材料特性，LabelType设计用于模切，以及1.00“x 2.25”（25.4mm x 57.2mm）标签尺寸，该设备也可用作与相关产品一起使用的点阵打印机。此外，颜色为白色。
RDN050N20是ROHM制造的MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN。RDN050N20采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN。
RDN080N25是ROHM制造的MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN。RDN080N25采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN。
