特色
- 导通电阻低。
- 切换速度快。
- 驱动电路可能很简单。
- 并行使用很容易。
- 无铅电镀；符合RoHS
RD3P130SPFRATL
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.45778 | 12.45778 |
| 10+ | 11.17579 | 111.75795 |
| 100+ | 8.98409 | 898.40930 |
| 500+ | 7.38123 | 3690.61950 |
| 1000+ | 6.11583 | 6115.83200 |
| 2500+ | 5.75158 | 14378.96750 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.45779
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.46
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2400 pF@25 V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40 nC @ 10 V
- 最大功耗 20W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Ta）
- 供应商设备包装 TO-252
- 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@6.5A，10V
RD3P130SPFRATL 产品详情
RD3P130SPTL1是一种低导通电阻的功率MOSFET，适用于开关。
RD3P130SPFRATL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | RD37M10000 | 连接端子种类: 插头，公销 连接端子样式: 端子 针位数: thirty-seven 排数: two 端接: 压接 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥197.51388 | |
 | RD37S00G0C | 连接端子种类: 母触点插座 连接端子样式: 端子 接触头种类: Signal 针位数: thirty-seven 排数: two 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥566.75693 | |
 | RD30F-T7 | 瑞萨电子 (Renesas) | DIODE ZENER | ¥1.44858 |
 | RD36F | 瑞萨电子 (Renesas) | DIODE ZENER | ¥1.44858 |
 | RD3.3F-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | DIODE ZENER | ¥1.44858 |
 | RD3.6F-T7-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | DIODE ZENER | ¥1.44858 |
 | RD3.9F-T6-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | DIODE ZENER | ¥1.44858 |
RD3P130SPFRATL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RD3P130SPFRATL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RD3P130SPFRATL价格参考￥12.457788，你可以下载 RD3P130SPFRATL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RD3P130SPFRATL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
