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RSR010N10TL是MOSFET 4V驱动Nch MOSFET,包括RSR010N0系列,它们设计用于卷盘封装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如TSMT-3,技术设计用于Si,以及1通道数的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供1 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为15 ns,上升时间为9 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为1 A,Vds漏极-源极击穿电压为100 V,并且Rds导通漏极-源极电阻为370mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为22ns,典型接通延迟时间为6ns,Qg栅极电荷为3.5nC,正向跨导最小值为1S,沟道模式为增强。
RSR010N10GZTL,带有ROHM制造的用户指南。RSR010N10GZTL采用SOT23封装,是IC芯片的一部分。
RSR015P03 TL,带有ROHM制造的电路图。RSR015P03 TL在SOT23封装中提供,是FET的一部分-单。




