
RQ7G080BGTCR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.24290 | 7.24290 |
| 10+ | 6.46066 | 64.60667 |
| 100+ | 5.03961 | 503.96100 |
| 500+ | 4.16292 | 2081.46450 |
| 1000+ | 3.28646 | 3286.46600 |
| 3000+ | 3.06736 | 9202.10400 |
| 6000+ | 2.98769 | 17926.17600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.24290
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.24
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 最大功耗 1.1W(Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
- 供应商设备包装 TSMT8
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.6 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 16.5毫欧姆@8A,10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 530 pF @ 20 V
- 种类 -
- 材质 -
- 色彩/颜色 -
RQ7G080BGTCR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RQ7G080BGTCR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RQ7G080BGTCR价格参考¥7.242900,你可以下载 RQ7G080BGTCR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RQ7G080BGTCR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...












