特色
- 4.Ｖ-驱动器类型
- Nch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RXH100N03TB1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 4.29431 | 10735.78750 |
| 5000+ | 4.18277 | 20913.87500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.29432
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,735.79
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Ta）
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 工作温度 150摄氏度
- 最大功耗 2W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC@5 V
- 供应商设备包装 8-SOP
- 导通电阻 Rds(ON) 13毫欧姆@10A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800 pF @ 10 V
- 材质 -
- 色彩/颜色 -
RXH100N03TB1 产品详情
MOSFET通过适用于低电流消耗移动设备的微处理技术制成超低导通电阻。在广泛的阵容中，包括紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场需求。
RXH100N03TB1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RXH070N03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.2429 |
| RXH100N03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.29432 |
 | RXH125N03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.68084 |
| RXH090N03TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥3.94854 |
RXH100N03TB1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RXH100N03TB1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RXH100N03TB1价格参考￥4.294315，你可以下载 RXH100N03TB1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RXH100N03TB1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
