这些N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,这导致非常低的导通状态电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快和更有效的切换。
特色
- 超低通电阻
- 100%雪崩测试

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 34.40377 | 34.40377 |
| 10+ | 30.91269 | 309.12697 |
| 100+ | 25.32697 | 2532.69730 |
| 500+ | 21.56023 | 10780.11500 |
| 1000+ | 20.66290 | 20662.90700 |
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这些N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,这导致非常低的导通状态电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快和更有效的切换。

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