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SPD18P06PGBTMA1

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.6A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.09564 12.09564
10+ 10.82089 108.20893
100+ 8.43797 843.79790
500+ 6.97042 3485.21100
1000+ 6.11445 6114.45600
2500+ 6.11445 15286.14000
  • 库存: 7498
  • 单价: ¥10.50221
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.10
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 最大功耗 80W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18.6A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 860 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@13.2A,10V
  • 色彩/颜色 黑色

SPD18P06PGBTMA1 产品详情

Infineon SIPMOS®P沟道MOSFET

这个英飞凌科技硅橡胶®小信号P沟道MOSFET具有几个特点,包括增强模式、低至-80A的连续漏电流以及宽的工作温度范围。SIPMOS功率晶体管可用于各种应用,包括电信、eMobility、笔记本电脑、DC/DC设备以及汽车行业。

·AEC Q101合格(请参考数据表)
·无铅电镀,符合RoHS

SPD18P06PGBTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SPD18P06PGBTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SPD18P06PGBTMA1价格参考¥10.502205,你可以下载 SPD18P06PGBTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SPD18P06PGBTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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