专为线性操作而设计的N沟道功率MOSFET。这些设备具有扩展的前向偏置安全工作区（FBSOA），以提高耐用性和可靠性。
特色
- 设计用于线性操作
- 75°C时的保证FBSOA
- 雪崩等级
- 国际标准包
- UL 94 V-0可燃性合格（模塑环氧树脂）
应用
- 电流调节器
- 风扇控制器
- 线性放大器
- 风扇控制器
- 可编程负载
- 软启动控制
- 固态断路器
IXTK17N120L
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 700W (Tc) 供应商设备包装: TO-264 (IXTK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 329.04494 | 329.04494 |
| 10+ | 306.96858 | 3069.68588 |
| 100+ | 266.52713 | 26652.71310 |
- 库存: 300
- 单价: ¥329.04495
-
数量:
- +
- 总计: ¥329.04
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 20伏
- 供应商设备包装 TO-264 (IXTK)
- 包装/外壳 至264-3，至264AA
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 155 nC@15 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 17A（Tc）
- 最大功耗 700W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 900毫欧姆 @ 8.5A, 20V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8300 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 不锈钢
IXTK17N120L 产品详情
N沟道功率MOSFET，IXYS线性系列
IXTK17N120L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTK17N120L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTK17N120L 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTK17N120L价格参考￥329.044947，你可以下载 IXTK17N120L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTK17N120L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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