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FDMC2D8N025S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A(Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.85034 9.85034
10+ 8.82909 88.29095
100+ 6.88365 688.36520
500+ 5.68625 2843.12800
1000+ 4.48914 4489.14900
  • 库存: 1256
  • 单价: ¥9.85034
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.85
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 供应商设备包装 Power33
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 47W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.9毫欧姆@28A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 124A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4615 pF @ 13 V
  • 色彩/颜色 不锈钢

FDMC2D8N025S 产品详情

FDMC2D8N025S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDMC2D8N025S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMC2D8N025S价格参考¥9.850344,你可以下载 FDMC2D8N025S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMC2D8N025S规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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