特色
- 低RDS（打开）
- 提高效率延长电池寿命
- 逻辑电平门驱动
- 微型ChipFET表面安装封装节省了电路板空间
应用
- 便携式和电池供电产品中的电源管理
- 蜂窝和无绳电话
- PCMCIA卡
NTHS5404T1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.82233 | 7.82233 |
| 10+ | 6.96767 | 69.67670 |
| 100+ | 5.43145 | 543.14510 |
| 500+ | 4.48683 | 2243.41600 |
| 1000+ | 3.75689 | 3756.89200 |
| 3000+ | 3.75689 | 11270.67600 |
- 库存: 4206
- 单价: ¥7.02561
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.82
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大功耗 1.3W（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 供应商设备包装 ChipFET
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.2A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 5.2A, 4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 600mV @ 250A
NTHS5404T1G 产品详情
功率MOSFET 20 V，7.2 A，N沟道ChipFET™
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NTHD4P02FT1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET | ¥0.72429 |
 | NTHD5903T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET | ¥1.01401 |
 | NTHS0805N03N1001JR | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 1K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥14.42786 |
 | NTHS0805N03N3300KE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330 阻值公差: ±10% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥43.5588 |
 | NTHS0805N04N3303JU | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330k 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥6.78687 |
 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
NTHS5404T1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTHS5404T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTHS5404T1G价格参考￥7.025613，你可以下载 NTHS5404T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTHS5404T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
