9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60HM70SCTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60HM70SCTG参考价格为162.96571美元。Microchip Technology APTC60HM70SCTG封装/规格：MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4。您可以下载APTC60HM70SCTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTC60HM70BT3G，带引脚细节，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP3，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于机箱安装，以及SP3供应商设备包，该设备也可作为4 N通道（H桥）FET类型使用。此外，最大功率为250W，器件提供600V漏极到源极电压Vdss，器件具有700pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为39A，最大Id Vgs上的Rds为70mOhm@39A，10V，Vgs最大Id为3.9V@2.7mA，栅极电荷Qg-Vgs为259nC@10V。
APTC60HM70RT3G是MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F，包括3.9V@2.7mA Vgs th Max Id，设计用于与SP3供应商设备包一起运行，系列如数据表注释所示，用于CoolMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如70 mOhm@39A，10V，Power Max设计用于250W，以及散装封装，该器件也可以用作SP3封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该器件提供7000pF@25V输入电容Cis Vds，该器件具有259nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥）+桥式整流器，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为39A。
带有电路图的APTC60HM70SCT APTC60HM70SCT在模块包中提供，是模块的一部分。
