9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMSZ5225B-G3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMSZ5225B-G3-18参考价格$0.04245。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMSZ5225B-G3-18封装/规格：DIODE ZENER 3V 500MW SOD123。您可以下载MMSZ5225B-G3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMSZ5225B-E3-08是DIODE ZENER 3V 500MW SOD123，包括Automotive、AEC-Q101系列，设计用于小型信号齐纳二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.000363盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-123包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为3V，阻抗最大值Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为50μa@1V，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为3 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.075%/C，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为50 uA。
MMSZ5225B-E3-18带有用户指南，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于3 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于3V的电压齐纳标称Vz，提供5%等电压容差特性，电压温度系数设计用于-0.075%/C，以及0.000363盎司单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOD-123，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-13，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为50 uA，阻抗最大Zzt为30 Ohm，反向电流Vr为50μA@1V，配置为单一。
MMSZ5225B-7-F是DIODE ZENER 3V 500MW SOD123，包括单一配置，设计用于在50μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.35 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如30欧姆，Ir反向电流设计用于50μa，长度为2.85 mm，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~150℃，封装外壳为SOD-123，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为500 mW，最大功率为500mW，系列为MMSZ522，供应商设备包为SOD-123，公差为±5%，单位重量为0.000353 oz，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为3V，Vz齐纳电压为3V、宽度为1.7 mm，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
