9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ4681-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ4681-E3-18参考价格为0.03366美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ4681-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 2.4V 350MW SOT23-3。您可以下载MMBZ4681-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBZ4627-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如MMBZ4627-V-G-08，单位重量设计为0.000286盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2，配置为单一，公差为±5%，最大功率为350mW，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大Zzt为1200欧姆，电流反向泄漏Vr为10μA@5V，Pd功耗为350 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.97 V，Vz齐纳电压为6.2 V，电压容差为5%，齐纳电流为45 mA，Zz齐纳阻抗为1200欧姆，Ir反向电流为10uA。
MMBZ4627-G3-18带有用户指南，包括1200欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于45 mA齐纳电流，Vz齐纳电压显示在数据表注释中，用于6.2 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如6.2V，电压容差设计为工作在5%，以及0.97 V Vf正向电压，该设备也可以用作0.000286盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有汽车AEC-Q101系列，产品为小信号齐纳二极管，最大功率为350mW，Pd功耗为350mW；零件别名为MMBZ4627-V-G-18，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-2，它的工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大Zzt为1200 Ohm，电流反向泄漏Vr为10μA@5V，配置为单一。
MMBZ4627-HE3-08带有电路图，包括单一配置，它们设计为在10μa@5V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于1200欧姆，提供Ir反向电流功能，如10 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为350 mW，最大功率为350 W，产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101、，供应商设备包为SOT-23-3，公差为±5%，单位重量为0.000310盎司，Vf正向电压为1.1 V，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为6.2V，Vz齐纳电压为6.2 V，齐纳电流为45 mA，Zz齐纳阻抗为1200欧姆。
MMBZ4627-HE3-18，带EDA/CAD型号，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替封装一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-2，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及小信号齐纳二极管产品，该器件也可以用作单配置。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该器件提供6.2V电压齐纳标称Vz，该器件具有6.2V Vz齐纳电压，其工作温度范围为-55°C~150°C，电压容差为5%，齐纳电流为45mA，最大功率为350mW，Pd功耗为350mW、Zz齐纳阻抗为1200欧姆，阻抗最大Zzt为1200欧姆，电流反向泄漏Vr为10μA@5V，Ir反向电流为10μA，Vf正向电压为1.1 V，单位重量为0.000310盎司，公差为±5%，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
