9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85C7V5-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85C7V5-TR价格参考$0.04928。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85C7V5-TR封装/规格：DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41。您可以下载BZX85C7V5-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如BZX85C7V5-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZX85C75-TAP是DIODE ZENER 75V 1.3W DO41，包括汽车、AEC-Q101系列，设计用于带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长的安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1.3W，电压齐纳标称Vz为75V，阻抗最大Zzt为135欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@56V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为75 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.0775%/C，齐纳电流为14 mA，Zz齐纳阻抗为135欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX85C75-TR是DIODE ZENER 75V 1.3W DO41，包括135欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于14 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如75 V，电压齐纳标称Vz设计用于75 V，以及5%电压容差，该装置也可用作0.075%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为135 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@56V，配置为单一。
BZX85C7V5是DIODE ZENER 7.5V 1W DO41，包括单一配置，设计用于在1μa@4.5V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如3欧姆，Ir反向电流设计用于1μa，以及5.21 mm长度，它的最大工作温度范围为+200℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为散装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，供应商设备包为DO-41，公差为±6%，单位重量为0.008642 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为7.5V，Vz齐纳电压为7.5V、宽度为2.72mm，齐纳电流为35mA，Zz齐纳阻抗为3欧姆。
