9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT55C2V4-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT55C2V4-GS18参考价格$0.02936。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT55C2V4-GS18封装/规格：DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80。您可以下载BZT55C2V4-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZT55C2V4-GS08是DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，高度设计为1.6毫米，长度为3.7毫米，该装置也可以用作1.6mm宽。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-80QuadroMELF，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为2.4V，阻抗最大Zzt为85欧姆，电流反向泄漏Vr为50μA@1V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为2.42 V，电压容差为6%，电压温度系数为-0.015%/K，Zz齐纳阻抗为85欧姆，Ir反向电流为50uA。
BZT55C2V2是2.2伏500mW 5%的齐纳二极管，包括100欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.6毫米，Vz齐纳电压如数据表注释所示，适用于2.205伏，具有6%的电压容差特性，Pd功耗设计工作功率为500 mW，以及L1部件别名，该器件也可用作卷筒包装。此外，封装外壳为MiniMelf-2，器件采用SMD/SMT安装方式，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为3.7 mm，Ir反向电流为50 uA，高度为1.8 mm，配置为单一。
BZT55C2V4是齐纳二极管2.4伏500mW 5%，包括单一配置，它们设计用于1.8毫米高度的工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于50μa，具有3.7毫米的长度特性，最大工作温度范围为+200摄氏度，最小工作温度范围是-65摄氏度，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，封装外壳为MiniMelf-2，该器件采用卷筒封装，器件具有L1部分别名，Pd功耗为500mW，电压容差为6%，Vz齐纳电压为2.42V，宽度为1.6mm，Zz齐纳阻抗为85欧姆。
