9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5620US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5620美国参考价格$8.17500。Microchip Technology 1N5620US包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A D5A。您可以下载1N5620US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5620GPHE3/54是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AC、DO-15、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A C（DO-15），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，该器件提供1.2V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为20pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N5620GPHE3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AC（DO-15）的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了2μs反向恢复时间trr之外，该设备还可以用作切割带（CT）包装。此外，封装外壳为DO-204AC、DO-15、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为20pF@12V，1MHz。
1N5620 TR带电路图，包括卷筒包装，设计用于1N5620系列。
