ISSI最新的高速异步SRAM

ISSI是一种高速、8 Mb异步CMOS静态RAM，带有ECC，非常适合广泛的低功耗设备。它由16位512 K字组成，并使用ISSI的高性能、低功耗CMOS工艺制造。该解决方案提供8、10或20纳秒的高速访问时间，整体设计提供多中心电源和接地引脚，以提高抗噪性。它是完全静态的；无需时钟或刷新。

使用芯片启用（CE）和输出启用（OE）输入，内存扩展很容易。主动写入启用控制内存的写入和读取。数据字节允许上字节和下字节访问。当取消选择CE时，设备会采用更低功率的待机模式，从而延长应用程序的寿命。IS61WV51216EDBLLis是一种耐用的高性能内存解决方案，可广泛使用。它有48个球miniBGA和TSOP封装，温度额定值适用于工业和汽车应用，并长期支持.