场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.98120 | 2467 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.98120 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.51285 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.51285 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.44618 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.44618 | 添加到BOM 立即询价 | ||
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥17.16567 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.04047 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH ECH8 | ¥7.35879 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.35879 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、101A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8SCD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.98120 | 1865 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.98120 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 139A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥985.78585 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,886.28681 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A 供应商设备包装: EPM15 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.96431 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.96431 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.56255 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.56255 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A、80A 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.22266 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.22266 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥998.92266 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,991.38129 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 4.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.47227 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.47227 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.98408 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.98408 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥263.77193 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥263.77193 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,002.76140 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,022.09118 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥119.72514 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,360.37596 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,360.37596 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.34430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.34430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc)、45A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.19848 | 1520 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.19848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.18256 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.18256 | 添加到BOM 立即询价 |